RJK0365 RJK0365DPA -- Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
Features
• High speed switching
• Capable of 4.5 V gate drive
• Low drive current
• High density mounting
• Low on-resistance RDS(on) = 7.0 mΩ typ. (at VGS = 10 V)
• Pb-free
| FET 类型 |
MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 |
逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) |
30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时） |
30A （Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） |
9.1 毫欧 @ 15A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） |
- |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) |
7.6nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) |
1180pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 |
30W |
| 安装类型 |
表面贴装 |
| 封装/外壳 |
8-WDFN 裸露焊盘 |
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