产品资讯

BSM200GB120DN2

型号：BSM200GB120DN2
品牌：Infineon

批号：13+ROHS
封装：IGBT
原价：500
数量：38538
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详细描述

BSM200GB120DN2 - IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate) - Siemens Semiconductor Group

Manufacturer: Infineon

Product Category: IGBT Modules

RoHS: RoHS Compliant Details

Brand: Infineon Technologies

Product: IGBT Silicon Modules

Configuration: Half Bridge Module

Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1200 V

Collector-Emitter Saturation Voltage: 2.5 V

Continuous Collector Current at 25 C: 290 A

Gate-Emitter Leakage Current: 400 nA

Power Dissipation: 1.4 kW

Maximum Operating Temperature: + 150 C

Package / Case: Half Bridge2

Maximum Gate Emitter Voltage: 20 V

Mounting Style: Screw

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