HAT2195 HAT2195R -- Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
Features
• High speed switching
• Capable of 4.5 V gate drive
• Low drive current
• High density mounting
• Low on-resistance
RDS(on) = 4.6 mΩ typ. (at VGS = 10 V)
| FET 类型 |
MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 |
逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) |
30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时） |
18A （Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） |
5.8 毫欧 @ 9A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） |
- |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) |
23nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) |
3400pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 |
2.5W |
| 安装类型 |
表面贴装 |
| 封装/外壳 |
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 |
8-SOP |
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