明佳达电子供应贴片SOP VNS1NV04DPTR VNS1NV04 完全自动保护的功率 MOSFET
| 型号 | VNS1NV04DPTR |
| 年份 | 1836+ |
| 封装 | SOP |
VNS1NV04DP-E 是由两个单片 OMNIFET II 芯片封装在一个标准 SO-8 封装。OMNIFET II 是采用 STMicroelectronics VIPower™ M0-3 设计技术：它们旨在替代从直流到 50KHz 标准功率 MOSFET应用程序。内置热关断，线性电流限制和过压钳位保护芯片在恶劣的环境中。故障反馈可以通过监控来检测输入引脚上的电压。
规格
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开关类型
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通用
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输出数
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2
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比率 - 输入:输出
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1：1
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输出配置
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低端
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输出类型
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N 通道
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接口
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开/关
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电压 - 负载
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36V（最大）
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电压 - 供电 (Vcc/Vdd)
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不需要
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电流 - 输出（最大值）
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1.7A
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导通电阻（典型值）
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250 毫欧（最大）
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输入类型
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非反相
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特性
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-
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故障保护
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限流（固定），超温，过压
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工作温度
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-40°C ~ 150°C（TJ）
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安装类型
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表面贴装型
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供应商器件封装
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8-SOIC
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封装/外壳
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8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
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实物图
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