SI7178DP-T1-GE3 SI7178DP SI7178 -- N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
FEATURES
• Halogen-free
• TrenchFET® Power MOSFET
• 100 % Rg Tested
• 100 % UIS Tested
APPLICATIONS
• Primary Side Switch
• POL
• Intermediate Bus Converter
| FET 类型 |
MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 |
标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) |
100V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时） |
60A （Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） |
14 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） |
4.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) |
72nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) |
2870pF @ 50V |
| 功率 - 最大值 |
104W |
| 安装类型 |
表面贴装 |
| 封装/外壳 |
PowerPAK® SO-8 |
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