IRFH7923 IRFH7923TRPBF -- HEXFET® Power MOSFET
Benefits
Very low RDS(ON) at 4.5V VGS
Low Gate Charge
Fully Characterized Avalanche Voltage and
Current
100% Tested for RG
Lead-Free (Qualified up to 260°C Reflow)
RoHS compliant (Halogen Free)
Low Thermal Resistance
Large Source Lead for more reliable Soldering
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） |
2.35V @ 25µA |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) |
1095pF @ 15V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) |
13nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） |
8.7 毫欧 @ 15A，10V |
| 供应商器件封装 |
PQFN（5x6）单芯片焊盘 |
| 功率 - 最大值 |
3.1W |
| 包装 |
剪切带 （CT） |
| 安装类型 |
表面贴装 |
| 封装/外壳 |
8-PowerVDFN |
| 漏源极电压 (Vdss) |
30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时） |
15A （Ta）， 33A （Tc） |
| FET 功能 |
逻辑电平门 |
| FET 类型 |
MOSFET N 通道，金属氧化物 |
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