深圳市明佳达电子公司原装供应纳微半导体《NV6115》氮化镓功率芯片 芯片打字NV6115
批次 | 最新 |
封装 | DFN |
说明
NV6115是650 VGaNFast™电源IC,针对高频,软开关拓扑进行了优化。FET,驱动器和逻辑的单片集成创建一个易于使用“数字输入,断电”高性能动力总成模块,使设计师能够创建的最快的,最小的最有效率的集成世界上的动力总成。最高的dV / dt抗扰度,高速集成驱动器和行业标准的低剖面,低电感,5 x 6 mm SMT QFN封装允许设计人员进行开发Navitas GaN技术具有简单,快速,可靠的特点突破性的功率密度和效率的解决方案。纳维塔斯GaNFast™功率集成电路延伸的传统拓扑的功能,例如反激式,半桥,谐振等至MHz +并启用突破性设计的商业介绍。
特点
GaNFast™电源IC
•单片集成栅极驱动器
•宽逻辑输入范围,带迟滞
•5 V / 15 V输入兼容
•宽V CC范围(10至30 V)
•可编程开启dV / dt
•200 V / ns dV / dt抗扰度
•650 V eMode GaN FET
•低170mΩ电阻
•零反向恢复费用
•2 MHz操作小型,薄型SMT QFN
•5 x 6毫米占地面积,0.85毫米外形
•最小的封装电感
环境因素
•RoHS,无铅,符合REACH
应用
•AC-DC,DC-DC,DC-AC
•降压,升压,半桥,全桥
•有源钳位反激,LLC谐振,D级
•移动式快速充电器,适配器
•笔记本适配器
•LED照明,太阳能微型逆变器
•电视/显示器,无线电源
•服务器,电信和网络SMPS
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