深圳市明佳达电子公司原装供应纳微半导体《NV6115》氮化镓功率芯片 芯片打字NV6115
| 批次 | 最新 |
| 封装 | DFN |
说明
NV6115是650 VGaNFast™电源IC，针对高频，软开关拓扑进行了优化。FET，驱动器和逻辑的单片集成创建一个易于使用“数字输入，断电”高性能动力总成模块，使设计师能够创建的最快的，最小的最有效率的集成世界上的动力总成。最高的dV / dt抗扰度，高速集成驱动器和行业标准的低剖面，低电感，5 x 6 mm SMT QFN封装允许设计人员进行开发Navitas GaN技术具有简单，快速，可靠的特点突破性的功率密度和效率的解决方案。纳维塔斯GaNFast™功率集成电路延伸的传统拓扑的功能，例如反激式，半桥，谐振等至MHz +并启用突破性设计的商业介绍。
特点
GaNFast™电源IC
•单片集成栅极驱动器
•宽逻辑输入范围，带迟滞
•5 V / 15 V输入兼容
•宽V CC范围（10至30 V）
•可编程开启dV / dt
•200 V / ns dV / dt抗扰度
•650 V eMode GaN FET
•低170mΩ电阻
•零反向恢复费用
•2 MHz操作小型，薄型SMT QFN
•5 x 6毫米占地面积，0.85毫米外形
•最小的封装电感
环境因素
•RoHS，无铅，符合REACH
应用
•AC-DC，DC-DC，DC-AC
•降压，升压，半桥，全桥
•有源钳位反激，LLC谐振，D级
•移动式快速充电器，适配器
•笔记本适配器
•LED照明，太阳能微型逆变器
•电视/显示器，无线电源
•服务器，电信和网络SMPS
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