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INFINEON《IPT059N15N3》N沟道 150V 155A 金属氧化场效应晶体挂号

深圳市明佳达电子出售INFINEONIPT059N15N3》N沟道 150V 155A 金属氧化场效应晶体挂号

型号 IPT059N15N3
年份 最新
封装 HSOF-8

 

产品属性

Infineon  
MOSFET  
Si  
SMD/SMT  
HSOF-8  
N-Channel  
1 Channel  
150 V  
155 A  
5.9 mOhms  
- 20 V, + 20 V  
2 V  
69 nC  
- 55 C  
+ 175 C  
375 W  
Enhancement  
OptiMOS  
Cut Tape  
MouseReel  
Reel  
配置: Single  
高度: 2.4 mm  
长度: 10.58 mm  
系列: OptiMOS 3  
晶体管类型: 1 N-Channel  
宽度: 10.1 mm  
商标: Infineon Technologies  
正向跨导 - 最小值: 86 S  
下降时间: 14 ns  
产品类型: MOSFET  
上升时间: 35 ns  
工厂包装数量: 2000  
子类别: MOSFETs  
典型关闭延迟时间: 46 ns  
典型接通延迟时间: 25 ns  
零件号别名: SP001100162 IPT059N15N3ATMA1  
单位重量: 1.100 g

 

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IPT059N15N3

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点击数:0 | 更新时间:2020-11-17 10:31:39
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