明佳达电子原装热销ON安森美 NTR1P02LT1G P-沟道 20V 1.3A 场效应晶体管 价格实惠 质量可保证
型号:NTR1P02LT1G
品牌:ON
批号:20+
封装:SOT23-3
描述
这些微型表面贴装MOSFET具有低R DS(on)的特性,可确保功耗最小,节省能源,使这些设备成为理想选择用于空间敏感的电源管理电路。
典型应用是便携式直流-直流转换器和电源管理以及电池供电的产品,例如计算机,打印机,PCMCIA卡,蜂窝电话和无绳电话。
特征
•低RDS(on)提供更高的效率并延长电池寿命
•微型SOT-23表面贴装封装节省了电路板空间
•无铅封装可用
规格
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.3A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 220 毫欧 @ 750mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.25V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.5nC @ 4V
Vgs(最大值) ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 225pF @ 5V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 400mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 SOT-23-3(TO-236)
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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