IR《IRF8707 IRF8707TRPBF》N沟道晶体管 - FET，MOSFET - 单个

明佳达电子全新原装IR《IRF8707 IRF8707TRPBF》N沟道晶体管 - FET，MOSFET - 单个

型号：IRF8707TRPBF
品牌：IR

批号：10+

封装：SOP8

描述

Infineon 30VHEXFET®功率MOSFET专为要求小尺寸，高效率和改进的导热性的高密度应用而设计，使其非常适合笔记本电脑应用以及服务器，高级电信和电信应用中使用的负载点（POL）转换器。数据通信系统。这些30VHEXFET®功率MOSFET较前几代产品显着改善了栅极氧化层，并提供了高性能，可作为优化12VIN / 1-3VOUT DC-DC同步降压转换器应用的系统范围解决方案的一部分。低R DS（on）低Qg使得这些Infineon 30VHEXFET®功率MOSFET非常适合负载点转换器应用。低的传导损耗提高了满载效率和热性能，而低的开关损耗甚至在轻载时也有助于实现高效率。

30VHEXFET®功率MOSFET较前几代产品显着改善了栅极氧化物，并提供了高性能，可作为系统范围解决方案的一部分，以优化12V IN / 1-3V OUT DC-DC同步降压转换器应用。低R DS（on）和低Qg使得这些Infineon 30VHEXFET®功率MOSFET非常适合负载点转换器应用。低的传导损耗提高了满载效率和热性能，而低的开关损耗即使在轻载时也有助于实现高效率。

规格

FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	11A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	11.9 毫欧 @ 11A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.35V @ 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	9.3nC @ 4.5V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	760pF @ 15V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2.5W（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-SO
封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

实物图

IRF8707TRPBF

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来自：深圳市明佳达电子有限公司

点击数：0 | 更新时间：2020-07-14 13:31:27

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