明佳达原装出售威世《SI4800BDY SI4800BDY-T1-E3》30V 9A 2.5W N沟道金属氧化物场效应晶体管
批号：08+
封装：SOP-8
特征
•符合IEC 61249-2-21的无卤素可用的
• TrenchFET ® 功率MOSFET
•高效PWM优化
•经过100％UIS和R g 测试
规格
| FET 类型 | N 通道 |
|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.5A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 18.5 毫欧 @ 9A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.8V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 13nC @ 5V |
| Vgs（最大值） | ±25V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 1.3W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
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实物图：SI4800BDY
