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IR IRFUC20 IRFUC20PBF N-CH 600V 2A 晶体管 - FET，MOSFET - 单个

明佳达电子有限公司全新原装出售IR IRFUC20 IRFUC20PBF N-CH 600V 2A 晶体管 - FET，MOSFET - 单个库存现货

型号	IRFUC20 IRFUC20PBF
批号	13+
封装	TO-251

描述

Vishay的第三代功率MOSFET提供了具有快速切换的最佳组合的设计师，坚固的设备设计，低导通电阻和成本效益。D PAK设计用于使用蒸汽进行表面安装相，红外或波峰焊技术。直线引线版本（IRFUC / SiHFUC系列）用于通孔安装应用程序。功耗高达1.5 W在典型的表面安装应用中是可能的。

特征

•动态dV / dt额定值

•重复雪崩等级

•表面贴装（IRFRC20 / SiHFRC20）

•直引线（IRFUC20 / SiHFUC20）

•提供卷带包装

•快速切换

•轻松并行

•无铅（Pb）

规格

FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	2A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	4.4 欧姆 @ 1.2A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	18nC @ 10V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	350pF @ 25V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2.5W（Ta），42W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-251AA
封装/外壳	TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA

实单请联系陈先生：

QQ：1668527835

电话：13410018555

公司首页：www.hkmjd.com

产品资讯：www.hkmjd.com/news

实物图：IRFUC20PBF

IRFUC20PBF

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点击数：0 | 更新时间：2020-06-23 10:28:37

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