深圳市明佳达电子有限公司大量现货优势供应 ON《NTMD6N02R2G》 MOSFET NFET 20V 0.035R TR
| 型号 | NTMD6N02R2G |
| 封装 | SOP8 |
| 年份 | 14+ |
产品参数：
制造商:ON Semiconductor
产品种类:MOSFET
RoHS: 详细信息
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SOIC-8
晶体管极性:N-Channel
通道数量:2 Channel
Vds-漏源极击穿电压:20 V
Id-连续漏极电流:5.07 A
Rds On-漏源导通电阻:35 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:12 V
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:2 W
通道模式:Enhancement
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:Dual
高度:1.5 mm
长度:5 mm
系列:NTMD6N02
晶体管类型:2 N-Channel
类型:MOSFET
宽度:4 mm
商标:ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值:10 S
下降时间:60 ns, 80 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:35 ns, 50 ns
工厂包装数量:2500
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:45 ns
典型接通延迟时间:11 ns, 12 ns
单位重量:187 mg
产品应用：
DC-DC转换器
低压电动机控制
便携式和电池供电产品中的电源管理，
例如，计算机，打印机，蜂窝电话和无绳电话和PCMCIA卡
有意者请联系陈生：
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实物图：NTMD6N02R2G
