深圳市明佳达电子有限公司大量提供 IR《IRF1010EPBF》HEXFET®功率MOSFET 质量保证 全新原装 价格实惠！
| 型号 | IRF1010EPBF |
| 封装 | TO-220 |
| 年份 | 15+ |
产品描述：
IRF1010E先进的HEXFET ® 从功率MOSFET整流器利用先进的处理技术来实现每个硅面积的导通电阻极低。这个好处结合快速的开关速度和坚固耐用HEXFET功率MOSFET良好的器件设计闻名，为设计师提供了极为有效的可靠的设备，可用于多种应用。TO-220封装普遍适用于所有功耗下的商业应用功率约为50瓦。低热量TO-220的低电阻和低封装成本受到整个行业的广泛认可。
产品参数：
产品种类:MOSFET
RoHS: 详细信息
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-220-3
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:60 V
Id-连续漏极电流:81 A
Rds On-漏源导通电阻:12 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:20 V
Qg-栅极电荷:86.6 nC
Pd-功率耗散:170 W
封装:Tube
配置:Single
高度:15.65 mm
长度:10 mm
晶体管类型:1 N-Channel
宽度:4.4 mm
商标:Infineon Technologies
产品类型:MOSFET
工厂包装数量:1000
子类别:MOSFETs
零件号别名:IRF1010EPBF SP001569818
单位重量:6 g
产品应用：
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实物图：IRF1010EPBF
