深圳市明佳达电子有限公司东芝供应《2SK3561》MOSFET N-Ch 500V 8A Rdson 0.85 Ohm 原装现货 质量保证
| 型号 | 2SK3561 |
| 封装 | TO-220 |
| 批号 | 10+ |
•低漏源导通电阻：R DS（ON）=0.75Ω（典型值）
•高前移准入率：| Y fs | = 6.5S（典型值）
•低泄漏电流：I DSS = 100μA（V DS = 500 V）
•增强模式：V th = 2.0〜4.0 V（V DS = 10 V，ID = 1 mA）
产品属性
制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220FP-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Id-连续漏极电流: 8 A
Rds On-漏源导通电阻: 850 mOhms
配置: Single
高度: 15 mm
长度: 10 mm
系列: 2SK3561
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.5 mm
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
单位重量: 2 g
实物图
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