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东芝供应《2SK3561》MOSFET N-Ch 500V 8A Rdson 0.85 Ohm

深圳市明佳达电子有限公司东芝供应《2SK3561》MOSFET N-Ch 500V 8A Rdson 0.85 Ohm  原装现货   质量保证

型号 2SK3561
封装 TO-220
批号 10+

•低漏源导通电阻:R DS(ON)=0.75Ω(典型值)

•高前移准入率:| Y fs | = 6.5S(典型值)

•低泄漏电流:I DSS = 100μA(V DS = 500 V)

•增强模式:V th = 2.0〜4.0 V(V DS = 10 V,ID = 1 mA)

产品属性

制造商: Toshiba 

产品种类: MOSFET  

技术: Si 

安装风格: Through Hole 

封装 / 箱体: TO-220FP-3 

晶体管极性: N-Channel 

通道数量: 1 Channel 

Vds-漏源极击穿电压: 500 V 

Id-连续漏极电流: 8 A 

Rds On-漏源导通电阻: 850 mOhms 

配置: Single  

高度: 15 mm  

长度: 10 mm  

系列: 2SK3561  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 4.5 mm    

产品类型: MOSFET  

工厂包装数量: 50  

子类别: MOSFETs  

单位重量: 2 g

实物图

2SK3561

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点击数:0 | 更新时间:2020-05-30 10:36:40
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