深圳市明佳达电子全新原装供应CYPRESS《CY7C1474V25-200BGC》:72Mb 静态随机存取存储器 公司现货
批次:13+/14+
型号:CY7C1474V25-200BGC
封装:BGA
品牌:CYPRESS
产品描述
CY7C1470V25 / CY7C1472V25 / CY7C1474V25为2.5V,2M x 36 / 4M x 18 / 1M x 72同步流水线突发SRAM无总线
延迟™(NoBL™)逻辑。他们是设计用于支持无限的真实背对背读取/写入运作与没有等待状态。配备CY7C1470V25 /
CY7C1472V25 / CY7C1474V25具有启用consec-所需的高级(NoBL)逻辑进行读取/写入操作,并传输数据每个时钟周期。
此功能大大改善了需要频繁写入/读取的系统中的数据吞吐量过渡。
CY7C1470V25 / CY7C1472V25 / CY7C1474V25与ZBT设备引脚兼容,并且在功能上等效于ZBT设备。所有同步输入均通
过受控的输入寄存器在时钟的上升沿。所有数据输出均通过输出寄存器由时钟的上升沿控制。的时钟输入由“时钟启用”(CEN)
信号限定,取消置位时会暂停操作并扩展前一个时钟周期。写操作由字节写选择
(CY7C1474V25的BW a –BW h ,BW a –BW dCY7C1470V25和BW a – CY7C1472V25的BW b )和a写使能(WE)输入。
所有写操作均在片上进行同步自定时写电路。
三个同步芯片使能(CE 1 ,CE 2 ,CE 3 )和一个异步输出使能(OE)提供轻松存储选择和输出三态控制。为了避免公交
车争用时,输出驱动器处于同步三态在写序列的数据部分期间。
参数
存储器类型 易失
存储器格式 SRAM
技术 SRAM - 同步,SDR
存储容量 72Mb (1M x 72)
存储器接口 并联
时钟频率 200MHz
写周期时间 - 字,页 -
访问时间 3ns
电压 - 电源 2.375V ~ 2.625V
工作温度 0°C ~ 70°C(TA)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 209-BGA
供应商器件封装 209-FBGA(14x22)
特征
•引脚兼容,功能等同于ZBT™
•支持零等待状态的250 MHz总线操作
—可用的速度等级为250、200和167 MHz
•内部自定时输出缓冲器控制,消除了使用异步OE的需要
•完全注册(输入和输出)用于管道运作
•字节写入能力
•2.5V单电源
•2.5V / 1.8VI / O电源(V DDQ )
•快速的时钟输出时间
— 3.0 ns(对于250 MHz器件)
•时钟使能(CEN)引脚可暂停操作
•同步自定时写入
•CY7C1470V25,CY7C1472V25可用于JEDEC标准的无铅100引脚TQFP,无铅和无铅165球FBGA封装。
CY7C1474V25提供无铅和无铅209球FBGA包
•兼容IEEE 1149.1 JTAG边界扫描
•突发功能-线性或交错突发顺序
应用领域
联网
测验设备
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