深圳市明佳达电子NXP供应《BLF6G20LS-110》射频金属氧化物半导体场效应晶体管 全新原装 公司现货
| 型号 | BLF6G20LS-110 |
| 批次 | 09+ |
| 封装 | SOT502B |
概述
适用于基站应用的110 W LDMOS功率晶体管，频率为1800 MHz至2000 MHz
规格
晶体管类型 LDMOS
频率 1.93GHz ~ 1.99GHz
增益 19dB
电压 - 测试 28V
额定电流（安培） 29A
噪声系数 -
电流 - 测试 900mA
功率 - 输出 25W
电压 - 额定 65V
封装/外壳 SOT-502B
供应商器件封装 SOT502B
应用
用于GSM，GSM EDGE，W-CDMA和CDMA基站的I 射频功率放大器1800 MHz至2000 MHz频率范围内的多载波应用
实图
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来自：深圳市明佳达电子有限公司
