明佳达电子库存热销分立半导体 SI4178DY-T1-GE3 30V 12A 晶体管 - FET，MOSFET - 单
批号：11+ 品牌：VISHAY 封装：SOP8
特征
•符合IEC 61249-2-21的无卤素定义
•TrenchFET ® 功率MOSFET
•已通过100％R g 和UIS测试
•符合RoHS指令2002/95 / EC
应用领域
•笔记本电脑系统电源
•低电流DC / DC
规格
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 21 毫欧 @ 8.4A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.8V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 12nC @ 10V
Vgs（最大值） ±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 405pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.4W（Ta），5W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 8-SO
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
实物图
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