明佳达电子有限公司进口原装SPANSION S29GL01GS10FHI010 1Gb 64M FLASH - NOR存储器
批号：13+
封装：FBGA
一般说明
Spansion的® S29GL01G / 512/256 / 128S是的MirrorBit Eclipse的闪存产品上65纳米工艺技术制造。这些设备提供了高达15 ns的快速页面访问时间以及相应的高达90 ns的随机访问时间。它们具有一个写缓冲器，一次操作最多可编程256个字/ 512字节，从而提高了有效速度编程时间比标准编程算法要长。这使得这些设备非常适合当今的嵌入式应用需要更高的密度，更好的性能和更低的功耗。
特色
65 nm MirrorBit Eclipse技术
单电源（VCC ）用于读取/编程/擦除（2.7V至3.6V）
多功能的I / O功能
–宽的I / O电压范围（V IO ）：1.65V至V CC
x16数据总线
异步32字节页面读取
512字节编程缓冲区
–以页面倍数编程，最大为512字节
同一单词选项上的单个单词和多个程序
扇区擦除
–统一的128 KB扇区
暂停和恢复命令以进行编程和擦除运作
状态寄存器，数据轮询和就绪/忙碌引脚方法确定设备状态
先进的行业保护（ASP）
–每个部门的易失性和非易失性保护方法
具有两个的单独的1024字节一次性程序（OTP）阵列
可锁定区域
通用Flash接口（CFI）参数表
温度范围
–工业（-40°C至+ 85°C）
–机舱内（-40°C至+ 105°C）
任何典型扇区的擦除周期为100,000次
典型的20年数据保留
包装选项
– 56引脚TSOP
– 64球LAA强化BGA，13毫米x 11毫米
– 64球LAE强化BGA，9毫米x 9毫米
– 56球VBU强化BGA，9毫米x 7毫米
规格
存储器类型 非易失
存储器格式 闪存
技术 FLASH - NOR
存储容量 1Gb （64M x 16）
存储器接口 并联
写周期时间 - 字，页 60ns
访问时间 100ns
电压 - 电源 2.7V ~ 3.6V
工作温度 -40°C ~ 85°C（TA）
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 64-LBGA
供应商器件封装 64-FBGA（13x11）
实物图
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来自：深圳市明佳达电子有限公司
