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Winbond华邦 W25X40BVZPIG 串行闪存4Mb 104MHz 存储器
批号：1152+
型号：W25X40BVZPIG
封装：QFN
1.一般说明
W25X10BV（1M位），W25X20BV（2M位）和W25X40BV（4M位）串行闪存为空间，引脚和电源有限的系统提供了一种存储解决方案。25X系列提供灵活性和性能远远超过普通的串行闪存设备。它们是代码的理想选择下载应用程序以及存储语音，文本和数据。器件在2.7V单电压下工作3.6V电源，有源电流消耗低至4mA，关断功耗为1µA。所有设备以节省空间的包装提供。
W25X10BV / 20BV / 40BV阵列分为512 / 1,024 / 2,048个256-每个字节。使用页面编程指令一次最多可以编程256个字节。页数可分为16组（扇区擦除），128组（32KB块擦除），256组（块）擦除擦除）或整个芯片（芯片擦除）。W25X10BV / 20BV / 40BV具有32/64/128个可擦除扇区和2/4/8可擦除64KB块。较小的4KB扇区可提供更大的灵活性需要数据和参数存储的应用程序。
W25X10BV / 20BV / 40BV支持标准串行外围设备接口（SPI），并具有高性能双路输出以及双路I / O SPI：串行时钟，芯片选择，串行数据DI（I / O0），DO（I / O1）。支持高达104MHz的SPI时钟频率，允许等效的时钟速率为使用快速读取双路输出指令时为208MHz。这些传输率可与8位和16位并行Flash存储器。
保持引脚，写保护引脚和可编程写保护，具有顶部或底部阵列控制功能，提供进一步的控制灵活性。此外，该设备支持JEDEC标准制造商和设备标识。
2.规格
存储器类型 非易失
存储器格式 闪存
技术 闪存
存储容量 4Mb （512K x 8）
存储器接口 SPI
时钟频率 104MHz
写周期时间 - 字，页 3ms
电压 - 电源 2.7V ~ 3.6V
工作温度 -40°C ~ 85°C（TA）
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装 8-WSON（6x5）
3.实物图
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