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ON安森美 NTMFD4C85NT1G 双N沟道30V 40A 非对称型场效应管

 深圳市明佳达进口原装现货供应ON安森美 NTMFD4C85NT1G 双N沟道30V 40A 非对称型场效应管

供应商 品牌 型号 批号 封装
明佳达 ON NTMFD4C85NT1G 1735+ QFN

 

规格

FET 类型 2 N 沟道(双)非对称型
FET 功能 标准
漏源电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 15.4A,29.7A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 3 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 32nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1960pF @ 15V
功率 - 最大值 1.13W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-PowerTDFN
供应商器件封装 8-DFN(5x6)

特征

• 共同封装的功率级解决方案,可最大程度地减少电路板空间

• 寄生电感最小

• 优化的设备以减少功率损耗

• 这些设备无铅,无卤素/无溴化阻燃剂,并且符合RoHS要求

合规

应用领域

• DC-DC转换器

• 系统电压轨

• 负载点

有意者请联系陈先生:

QQ:1668527835

电话:13410018555

网站首页:www.hkmjd.com

实物图:NTMFD4C85NT1G

NTMFD4C85NT1G

 

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点击数:0 | 更新时间:2019-11-07 17:18:13
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