明佳达电子大量元转出售CY7C1041DV33-10 CY7C1041DV33-10BVJXI 4Mb 静态随机存取存储器
批号：10+
封装：BGA
特征
■ 温度范围
❐ 工业级：–40°C至85°C
❐ 汽车类-A [1]：–40°C至85°C
❐Automotive -E [1]：–40°C至125°C
■ 引脚和功能与CY7C1041CV33兼容
■ 高速
❐ 吨AA = 10纳秒
■ 低有功功率
❐ 我CC = 90毫安10个纳秒（工业级）
■ CMOS待机功耗低
❐ 我SB2 =10毫安
■ 2.0 V数据保留
■ 取消选择时自动关机
■ TTL兼容的输入和输出
■ 通过CE和OE功能轻松扩展内存
■ 提供无铅48球VFBGA，44引脚（400密耳）模制
SOJ和44引脚TSOP II封装
功能说明
CY7C1041DV33是高性能CMOS静态RAM由16位组织为256 K个字。要写入设备，请芯片使能（CE）和写使能（WE）输入为LOW。如果字节低使能（BLE）为低电平，则来自I / O引脚（I / O 0 至I / O 7 ）的数据为写入地址引脚上指定的位置（A 0 至A 17 ）。
如果字节高使能（BHE）为LOW，则来自I / O引脚的数据（I / O 8到I / O 15 ）写入地址引脚上指定的位置（A 0 至A 17 ）。
要从设备读取，请使用芯片使能（CE）和输出使能（OE）为低，同时强制写使能（WE）为高。如果BLE为LOW，然后从由地址引脚出现在I / O 0 至I / O 7上。如果BHE为LOW，则数据从内存出现在I / O 8 到I / O 15上。
输入和输出引脚（I / O 0 至I / O 15 ）置于高电平取消选择设备时的阻抗状态（CE高），禁用输出（OE HIGH），禁用BHE和BLE（BHE，BLE高）或写操作期间（CE LOW和WE低）。
CY7C1041DV33提供标准的44引脚400密耳宽SOJ和44引脚TSOP II封装，具有中心电源和地面（革命性）引出线和48球细间距球栅阵列（FBGA）封装。
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