明佳达电子有限公司赛普拉斯新品推出 CY7C1051DV33-12ZSXIT 高性能CMOS静态随机存取存储器
批号：11+
型号：CY7C1051DV33-12ZSXIT
制造商：CYPRESS
功能描述
CY7C1051DV33是一款高性能CMOS静态RAM由16位组织为512K字。通过采用芯片使能（CE）写入器件并进行写入使能（WE）输入低。如果字节低位启用（BLE）为低位，
然后将来自IO引脚（IO 0 –IO 7 ）的数据写入该位置在地址引脚（A 0 –A 18 ）上指定。如果字节高启用（BHE）为低电平，然后将来自IO引脚（IO 8 –IO 15 ）的数据写入
地址引脚上指定的位置（A 0 –A 18 ）。通过芯片使能（CE）和输出从器件读取将（OE）设为低电平，同时将写入（WE）设为高电平。如果字节低使能（BLE）为低，则来自存
储器的数据地址引脚指定的位置将出现在IO 0 –IO 7上。
如果字节高启用（BHE）为低，则来自存储器的数据将出现在IO 8 至IO 15上。请参阅第8页的“真相表”读写模式的完整说明。的输入输出别针（IO 0 –IO 15 ）放置在取消选择设备
时的高阻抗状态（CEHIGH），禁用输出（OE HIGH），BHE和BLE被禁用（BHE，BLE高）或写操作（CE低，并且WE LOW）正在进行中。
CY7C1051DV33采用44引脚TSOP II封装具有中心电源和地面（革命性）引脚，作为48球细间距球栅阵列（FBGA）封装。
特征
• 高速
-t AA = 10 ns
•低有功功率
-I CC = 110 mA @ 10毫微秒
•低CMOS待机功耗
-I SB2 = 20 mA
•2.0V数据保留
•取消选择时自动关机
•TTL兼容的输入和输出
•通过CE和OE功能轻松扩展内存
•提供无铅48球FBGA和44引脚TSOP II包装
规格
存储器类型 易失
存储器格式 SRAM
技术 SRAM - 异步
存储容量 8Mb （512K x 16）
存储器接口 并联
写周期时间 - 字，页 12ns
访问时间 12ns
电压 - 电源 3V ~ 3.6V
工作温度 -40°C ~ 85°C（TA）
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）
供应商器件封装 44-TSOP II
实单者可联系陈先生：
QQ：1668527835
电话：13410018555
网站首页：www.hkmjd.com
图片
