TOSHIBA东芝 TPN8R903NL 30V 20A N沟道场效应晶体管

明佳达电子有限公司原装出售TOSHIBA东芝 TPN8R903NL 30V 20A N沟道场效应晶体管

描述 MOSFET N-CH 30V 20A TSON

湿气敏感性等级 （MSL） 1（无限）

详细描述 表面贴装型-N-通道-30V-20A（Tc）-700mW（Ta）-22W（Tc）-8-TSON-Advance（3.3x3.3）

规格

FET 类型 N 通道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 8.9 毫欧 @ 10A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 100µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 9.8nC @ 4.5V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 820pF @ 15V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 700mW（Ta），22W（Tc）

工作温度 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装型

供应商器件封装 8-TSON Advance（3.3x3.3）

封装/外壳 8-PowerVDFN

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