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IR IRF3808STRRPBF MOSFET 75V 1N-CH HEXFET 7mOhms 150nC

 明佳达原装现货推出IR IRF3808STRRPBF MOSFET 75V 1N-CH HEXFET 7mOhms 150nC

批号  11+   型号  IRF3808STRRPBF   品牌  IR    封装  TO-263

应用

高效率同步整流SMPS

不间断电源

高速电源切换

硬开关和高频电路

优点

改进了门,雪崩和动态dv / dt Ruggedness

完全特性的电容和电容雪崩SOA

增强体二极管dV / dt和dI / dt能力

无铅

符合RoHS标准,无卤素

产品参数

制造商: IR

产品种类: MOSFET 

RoHS:  详细信息  

技术: Si 

安装风格: SMD/SMT 

封装 / 箱体: TO-252-3 

通道数量: 1 Channel 

晶体管极性: N-Channel 

Vds-漏源极击穿电压: 75 V 

Id-连续漏极电流: 106 A 

Rds On-漏源导通电阻: 7 mOhms 

Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V 

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V 

Qg-栅极电荷: 150 nC 

最小工作温度: - 55 C 

最大工作温度: + 175 C 

Pd-功率耗散: 200 W 

配置: Single 

通道模式: Enhancement 

高度: 2.3 mm  

长度: 6.5 mm  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 6.22 mm  

商标: Infineon Technologies  

正向跨导 - 最小值: 100 S  

下降时间: 120 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 140 ns  

工厂包装数量: 800  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 68 ns  

典型接通延迟时间: 16 ns  

单位重量: 4 g  

联系qq:1668527835

电话:13410018555

网站首页:www.hkmjd.com

实物图

IRF3808STRRPBF

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点击数:0 | 更新时间:2019-07-22 11:54:23
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