明佳达原装现货推出IR IRF3808STRRPBF MOSFET 75V 1N-CH HEXFET 7mOhms 150nC
批号 11+ 型号 IRF3808STRRPBF 品牌 IR 封装 TO-263
应用
高效率同步整流SMPS
不间断电源
高速电源切换
硬开关和高频电路
优点
改进了门，雪崩和动态dv / dt Ruggedness
完全特性的电容和电容雪崩SOA
增强体二极管dV / dt和dI / dt能力
无铅
符合RoHS标准，无卤素
产品参数
制造商: IR
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 75 V
Id-连续漏极电流: 106 A
Rds On-漏源导通电阻: 7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 150 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 200 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
高度: 2.3 mm
长度: 6.5 mm
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 6.22 mm
商标: Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值: 100 S
下降时间: 120 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 140 ns
工厂包装数量: 800
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 68 ns
典型接通延迟时间: 16 ns
单位重量: 4 g
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电话：13410018555
网站首页：www.hkmjd.com
实物图
来自：深圳市明佳达电子有限公司
