TOSHIBA东芝 SSM3K35CTC N-CH 20V 0.18A 小信号场效应晶体管

明佳达原装现货新品推出TOSHIBA东芝 SSM3K35CTC N-CH 20V 0.18A 小信号场效应晶体管

批号 1815+ 型号 SSM3K35CTC 品牌 TOSHIBA 封装 CST3C

介绍：东芝SSM3K35CTC是一款U-MOS VI小信号MOSFET提供许多不同类型移动设备所需的各种栅极驱动电压。它们提供单通道，双通道，n通道，p通道和各种电压版本，为设计工程师提供了多种选择。每个都需要支持低电压和低R DS（on）要求的高电流充电。这些紧凑的封装和低电压操作使其成为智能手机和游戏机中高密度封装要求的理想解决方案。

制造商 Toshiba Semiconductor and Storage

制造商零件编号 SSM3K35CTC,L3F

描述 MOSFET N-CH 20V 0.18A

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

原厂标准交货期 52 周

详细描述表面贴装-N-沟道-20V-250mA（Ta）-500mW（Ta）-CST3C

规格

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 250mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.2V，4.5V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 1.1 欧姆 @ 150mA，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 100µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值） .34nC @ 4.5V

Vgs（最大值） ±10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 36pF @ 10V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 500mW（Ta）

工作温度 150°C（TJ）

安装类型表面贴装

供应商器件封装 CST3C

封装/外壳 SC-101，SOT-883

特征

1.2,1.5,1.8和4.5V栅极驱动电压

漏极 - 源极导通电阻低

应用

电源管理开关

DC-DC转换器

高速开关

实物图

SSM3K35CTC

公司首页：www.hkmjd.com

源自：深圳市明佳达电子有限公司

点击数：0 | 更新时间：2019-07-02 14:57:23

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