明佳达ON出售《NTMFS4983NFT1G》MOSFET NFET SO8FL 30V 160A 2.1MO
制造商：ON
批号：18+
封装：QFN
PDF 技术资料：
规格参数
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 22A（Ta），106A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 2.1 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 47.9nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3250pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.7W（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳 8-PowerTDFN
特征
• 集成肖特基二极管
• 低R DS（on）以最小化传导损耗
• 低电容，最大限度地减少驾驶员损失
• 优化栅极电荷，最大限度地降低开关损耗
• 这些器件是无铅的，符合RoHS标准
应用
• CPU供电
• DC-DC转换器的同步整流
• 低侧开关
• 电信二次侧整流
最大额定值（除非另有说明，否则T J = 25°C）
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实物图：NTMFS4983NFT1G
