明佳达电子公司全新原装 VISHAY SI4800BDY SI4800BDY-T1-E3 MOSFET 30V 9A 2.5W
批号：08+
型号：SI4800BDY
封装：SOP-8
规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 18.5 毫欧 @ 9A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.8V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 13nC @ 5V
Vgs（最大值） ±25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 8-SO
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
特征
•无卤素根据IEC 61249-2-21可得到
• TrenchFET ® 功率MOSFET
•高效PWM优化
•100％UIS和R g 测试
实物图
公司首页
www.hkmjd.com/proclass-read-id-1055298.html
源自：深圳市明佳达电子有限公司
