全球存储解决方案领导者Kioxia Corporation近日宣布，已开始提供全新的通用闪存存储 (UFS) 4.1版本嵌入式存储设备样品，进一步巩固其在高性能存储领域的领先地位。这些新设备专为满足下一代移动应用程序的需求而设计，包括搭载设备端AI的高级智能手机，它在小型BGA封装中实现了性能提升与更高的能效。
Kioxia的UFS 4.1版本设备在JEDEC标准封装中集成了公司创新的BiCS FLASH™ 3D闪存和控制器。这些全新UFS设备采用Kioxia第8代BiCS FLASH™ 3D闪存打造。该代产品引入了CBA（CMOS直接键合阵列）技术——这一架构创新标志着闪存设计的重大飞跃。通过将CMOS电路直接键合至存储阵列，CBA技术大幅提升了能效、性能和存储密度。
Kioxia的UFS 4.1版本设备兼具高速与低功耗特性，旨在提升用户体验，实现更快的下载速度和更流畅的应用程序运行表现。
核心特性包括：
提供256 GB、512 GB和1 TB三种容量选择
性能较上一代产品提升：
随机写入：512 GB / 1 TB版本提升约30%
随机读取：512 GB版本提升约45%，1 TB版本提升约35%
能效较上一代产品提升：
读取：512 GB / 1 TB版本提升约15%
写入：512 GB / 1 TB版本提升约20%
支持主机发起的碎片整理功能，可延迟垃圾回收，确保关键场景下的持续高速性能
写入加速(WriteBooster)缓冲区可调整大小，为优化性能提供更高灵活性
符合UFS 4.1版本标准
1 TB型号的封装高度较上一代产品有所降低
采用Kioxia第8代BiCS FLASH™ 3D闪存
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