ADI HMC521ALC4TR 8.5 GHz 至 13.5 GHz 砷化镓 MMIC I/Q 混频器

 

深圳明佳达电子有限公司作为国内外电子元器件的领先分销商，现备有 HMC521ALC4TR 8.5 GHz 至 13.5 GHz 砷化镓 MMIC I/Q 混频器库存。

 

产品概述与技术规格

HMC521ALC4TR 是一款紧凑型砷化镓（GaAs）单片微波集成电路（MMIC），采用相位差四象限（I/Q）混频器设计，封装于符合 RoHS 标准的 24 引脚陶瓷无引线芯片载体（LCC）中。HMC521ALC4TR 器件可作为图像抑制混频器或单边带上变频器使用。HMC521ALC4TR 混频器集成了两个标准双平衡混频单元和一个 90° 混频耦合器，所有组件均采用 GaAs 金属氧化物半导体场效应晶体管（MESFET）技术制造。HMC521ALC4TR 器件为混合型图像抑制混频器和单边带上变频器提供了更紧凑的替代方案。HMC521ALC4TR 消除了对引线键合的需求，支持表面贴装制造技术。

 

 

HMC521ALC4TR的关键技术规格：

频率范围：8.5 GHz至13.5 GHz  

转换损耗：典型值9 dB  

图像抑制：典型值27.5 dBc  

本振与射频隔离：典型值39 dB  

输入IP3：典型值16 dBm  

中频带宽：直流至3.5 GHz  

封装尺寸：3.9 mm × 3.9 mm（16 mm²）LCC-24封装

 

HMC521ALC4TR的产品特性与架构优势

HMC521ALC4TR采用砷化镓金属半导体场效应晶体管（MESFET）技术制造，集成了两个标准双平衡混频器单元和一个90°混合耦合器。这种创新设计提供了多个显著优势：

 

多功能应用：HMC521ALC4TR 可同时作为图像抑制混频器和单边带上变频器使用，为系统设计提供高度灵活性。

紧凑型设计：HMC521ALC4TR 体积更小，可替代传统混合图像抑制混频器和单边带上变频器组件，特别适用于空间受限的应用场景。

表面贴装兼容性：HMC521ALC4TR无需布线，可直接采用表面贴装技术（SMT）制造，简化生产流程并提升可靠性。

高性能指标：HMC521ALC4TR具备卓越的图像抑制能力（27.5 dBc）和本振/射频隔离性能（39 dB），确保系统信号处理的纯净度与稳定性。

 

HMC521ALC4TR 的典型应用领域

微波和非常小孔径终端（VSAT）无线电设备：在卫星通信系统中提供稳定的频率转换功能。

测试和测量设备：为高频测试仪器提供精确的信号处理能力。  

军事电子系统：  

电子战（EW）设备  

电子对抗（ECM）系统  

指挥、控制、通信与情报（C3I）系统  

5G通信基础设施：是5G芯片和通信IC产品线的重要组成部分。  

航空航天系统：在雷达和导航等关键系统中发挥着至关重要的作用。