英飞凌 AUIRF7749L2TR 第10.7代OptiMOS™ 汽车级N沟道MOSFET | 1.5mΩ超低RDS(on)

以下是关于英飞凌AUIRF7749L2TR 60V N沟道汽车MOSFET的产品描述：

明佳达电子供应的 AUIRF7749L2TR 结合了最新的汽车级 HEXFET® 功率 MOSFET 硅技术与先进的 DirectFET™ 封装技术，实现了卓越的性能，其封装尺寸与 D-Pak（TO-252AA）封装相同，且仅有 0.7mm 的厚度。DirectFET™封装与现有功率应用中的布局几何结构、PCB组装设备以及蒸汽相、红外或对流焊接技术兼容，前提是遵循应用说明AN-1035中关于制造方法和工艺的指导。DirectFET™封装支持双面散热，可最大化汽车电源系统的热传导效率。

这款HEXFET®功率MOSFET专为效率和功率密度至关重要的应用而设计。先进的DirectFET™封装平台结合最新硅技术，使AUIRF7749L2在内燃机（ICE）、混合动力车（HEV）和电动汽车（EV）平台的电机驱动、DC-DC转换器及其他高负载应用中，能够实现显著的系统级成本节约和性能提升。该MOSFET采用最新工艺技术，实现了单位硅面积超低导通电阻。该MOSFET的其他特性包括175°C的结温工作范围和高重复峰值电流能力。这些特性相结合，使该MOSFET成为高电流汽车应用中高效、坚固且可靠的器件。

基本参数

型号：AUIRF7749L2TR

年份：24+

电压等级：60V

沟道类型：N 沟道

最大导通电阻：1.5 毫欧

封装形式：DirectFET L8

技术代次：第 10.7 代

性能特点

✅ 超低导通电阻（RDS(on)）：1.5mΩ（最大值）@ 120A, 10V，大幅降低导通损耗，提升系统效率。

✅ 高电流承载能力：连续漏极电流（ID）36A（Ta） / 345A（Tc），适用于大功率负载切换。

✅ 优化的热管理：双面冷却设计，提升散热性能，工作结温范围 -55°C ~ 175°C（TJ）。

✅ 汽车级可靠性：AEC-Q101认证，适用于 48V轻混系统（MHEV）、DC-DC转换器、电机驱动 等严苛环境。

✅ 快速开关性能：低栅极电荷（Qg=275nC @10V），优化高频开关效率，减少开关损耗。

✅ 小尺寸封装：DirectFET L8 封装（9.15×7.1×0.74mm），节省PCB空间，适用于紧凑型设计。