供应ON 晶体管——供应功率MOSFET晶体管、双极结型晶体管、IGBT晶体管
深圳市明佳达电子有限公司——长期提供ON 全系列晶体管产品，覆盖从信号处理到功率转换的广泛应用需求，主要分类及典型型号包括：
一、功率MOSFET晶体管：
沟槽型MOSFET (Trench MOSFET): 高效开关，低导通电阻，广泛用于DC-DC转换器、电机驱动、负载开关等。
典型型号: NVTFS5C670NLWFTAG, NTMFS5C670NL , FDPF27N50NZ, NVMFS5C440NL
超级结MOSFET (Superjunction MOSFET): 针对高电压、高开关频率应用优化，显著降低导通损耗和开关损耗。
典型型号: FCPF125N65S3, FCP190N60E, STF3LN80K5
低压MOSFET: 用于电池管理、负载开关、电源路径管理。
典型型号: NTMFS0D8N04CL, NTTFS4C10N
中高压MOSFET: 适用于开关电源(SMPS)、照明、工业控制。
典型型号: FDPF33N25T, FQPF47P06
二、双极结型晶体管 (BJT - Bipolar Junction Transistor):
通用型小信号BJT: 适用于放大、开关等基础电路。
典型型号 (NPN): MMBT3904 (40V, 200mA), 2N2222A (40V, 800mA)。
典型型号 (PNP): MMBT3906 (40V, 200mA), 2N2907A (60V, 600mA)。
功率BJT: 用于需要较大电流处理能力的线性放大或开关应用。
典型型号: MJE13005 (400V, 4A - 开关电源), MJD31C (100V, 3A - NPN 达林顿), MJD32C (100V, 3A - PNP 达林顿)。
三、绝缘栅双极型晶体管 (IGBT - Insulated Gate Bipolar Transistor):
结合MOSFET驱动便利性和BJT大电流处理能力，是电机驱动、变频器、感应加热、UPS等高功率应用的理想选择。
典型型号: FGA25N120ANTDTU (1200V, 25A), NGTB40N120FL2WG (1200V, 40A), HGTG30N60B3 (600V, 58A)。
四、达林顿晶体管 (Darlington Transistor):
提供极高的电流增益，用于需要小输入电流驱动大负载的应用，如继电器驱动、灯驱动、电机驱动。
典型型号: TIP120 (NPN, 60V, 5A), TIP125 (PNP, 60V, 5A), ULN2003A (7路NPN达林顿阵列驱动器)。
数字晶体管:
内置基极电阻，简化电路设计，常用于数字逻辑接口、驱动小负载。
典型型号: DTC143E (NPN, 50V, 100mA, R1=4.7K, R2=10K)。
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