供应 ON 功率模块：IGBT 模块、MOSFET 模块、智能功率模块、SiC 模块

 

深圳市明佳达电子有限公司是一家专业的电子元器件供应商，秉承 “服务客户，造福客户 ”的宗旨，通过不断优化供应链管理和拓展产品线，已发展成为全球电子元器件分销领域的标杆企业。

 

主要产品 5G 芯片、新能源集成电路、物联网集成电路、蓝牙集成电路、车联网集成电路、汽车级集成电路、通信集成电路、人工智能集成电路、存储器集成电路、传感器集成电路、微控制器集成电路、收发器集成电路、以太网集成电路、WiFi 芯片、无线通信模块、连接器及其他电子元器件。

 

供应优势

庞大的库存体系：公司拥有 200 多万种库存优势型号，涵盖军工级、工业级、通讯及各类偏冷偏热的高科技元器件，可快速响应客户的紧急需求，大幅缩短客户的研发和生产周期。

严格的质量保证：供应的所有元器件均来自原厂或授权渠道，提供完整的批次追溯和质保服务。公司严格执行 ISO9001:2014 质量管理体系，确保每件产品的可靠性和一致性。

高效的物流网络： 依托遍布全球的分支机构和物流合作伙伴，我们能够实现 1-3 天的快速交货，并支持小至 1 件的灵活采购模式。这种高效的供应链能力尤其适用于研发阶段的小批量需求和紧急订单处理。

 

IGBT模块：高功率密度与可靠性的完美结合

绝缘栅双极晶体管(IGBT)模块作为现代电力电子系统的核心器件，在中高功率应用领域占据主导地位。ON的IGBT模块以其低损耗、高开关频率和强鲁棒性著称，广泛应用于电机驱动、光伏逆变器、不间断电源(UPS)和工业变频器等关键设备。这些模块采用先进的Trench Field Stop(沟槽场终止)技术，在导通损耗和开关损耗之间实现了优化平衡，显著提升了系统整体效率。

 

ON IGBT模块的技术优势主要体现在三个方面：首先，其采用精细化沟槽栅结构，大幅降低了导通压降(VCE(sat))，减少了导通状态下的功率损耗；其次，优化的场终止层设计使得模块具有更快的开关速度和更低的开关损耗，适用于高频应用场景；最后，模块内部集成温度传感器和电流检测功能，便于系统实现实时监控和保护。IGBT模块电压等级覆盖600V至1700V，电流能力从30A到数百安培，可满足不同功率等级的应用需求。

 

MOSFET模块：高速开关与高效能转换的理想选择

金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)模块在高频开关应用中展现出独特优势，ON的MOSFET模块凭借其优异的开关性能和低导通电阻特性，广泛应用于电源转换、汽车电子和工业控制系统。与分立MOSFET器件相比，模块化封装提供了更高的功率密度、更好的热性能和更简化的系统设计，特别适合中高功率应用场景。

 

ON MOSFET模块的技术特点主要体现在四个方面：首先，采用超结(Super Junction)技术的MOSFET模块在高压应用中实现了极低的导通电阻(RDS(on))，大幅降低了传导损耗；其次，优化的栅极设计使得开关速度更快，减少了开关过程中的能量损耗；第三，模块内部集成多个MOSFET芯片，可支持全桥、半桥和六组等多种拓扑结构；最后，先进的封装技术确保了良好的热传导性能，允许模块在高温环境下稳定工作。MOSFET模块电压等级覆盖40V至900V，满足从低压DC-DC转换到高压电源系统的多样化需求。

 

智能功率模块(IPM)：集成化与高可靠性的完美体现

智能功率模块(Intelligent Power Module，IPM)代表了功率电子集成化技术的最高水平，ON的 IPM产品将高压功率器件、栅极驱动电路和保护功能集成于单一封装内，大幅简化了系统设计并提升了可靠性。这些模块特别适合消费电子、工业控制和汽车应用中的电机驱动场景，提供功率等级从50W到10kW的广泛选择，支持三相逆变器、PFC(功率因数校正)和输入桥式整流器等多种拓扑结构。

 

ON IPM的核心优势主要体现在四个方面：首先，高度集成化的设计减少了外部元件数量和PCB面积，降低了系统复杂性和成本；其次，内置的驱动电路优化了功率器件的开关特性，同时减少了电磁干扰(EMI)；第三，全面的保护功能(包括过流、过热、欠压保护等)提升了系统可靠性，防止异常工况下的器件损坏；最后，优化的热设计使得模块能够承受严苛的工作环境，延长了产品寿命。IPM产品线覆盖600V以下的中低压应用，电流能力从几安培到数十安培，满足不同功率等级的需求。

 

碳化硅(SiC)模块：下一代功率器件的技术标杆

碳化硅(SiC)功率模块代表了功率半导体技术的前沿发展方向，ON的SiC模块采用第三代半导体材料碳化硅(SiC)作为基础器件，具有高温耐受性、高频特性和低导通损耗等显著优势，正在推动电动汽车、太阳能逆变器和数据中心电源等技术领域的升级换代。与传统的硅基功率器件相比，SiC模块可使系统效率提升3-5%，能耗降低30%以上，同时显著减小系统体积和重量，是应对能源效率和功率密度挑战的理想解决方案。

 

ON SiC模块的技术优势主要体现在五个方面：首先，SiC材料的高临界击穿电场强度允许器件在更高电压下工作，同时减小漂移区厚度，降低了导通电阻；其次，SiC的宽禁带特性(3.26eV)使得器件可在更高温度(200°C以上)下工作，降低了散热系统复杂度；第三，SiC器件几乎没有反向恢复电流，大幅降低了开关损耗，允许更高频率的操作；第四，优异的热导率(约硅的3倍)提高了功率密度，使系统更加紧凑；最后，整体系统效率的提升可减少能源消耗和散热需求，实现良性循环。SiC模块包括纯SiC模块和Si/SiC混合模块两种类型，电压等级主要为1200V和1700V，满足高压应用需求。