Infineon Technologies IGW75N65H5绝缘栅双极晶体管(IGBT)是一款高速器件，设计具有终极效率，适用于开关速率大于30kHz的应用。该款高速5 IGBT采用TRENCHSTOP™ 5技术，集成了RAPID 1快速柔性反向并联二极管。IGW75N65H5在硬开关和谐振拓扑中提供同类最佳效率，并且是上一代IGBT的即插即用替代品。典型应用包括UPS、焊接变流器、太阳能电池组列逆变器和中高频开关变频器。
技术参数
IGW75N65H5的主要参数包括：
配置：Single
集电极—发射极最大电压 VCEO：650 V
集电极—射极饱和电压：1.65 V
栅极/发射极最大电压：- 20 V, 20 V
在25 C的连续集电极电流：120 A
Pd-功率耗散：395 W
最小工作温度：- 40 C
最大工作温度：+ 175 C
系列：Trenchstop IGBT5
封装 / 箱体：TO-247-3
安装风格：Through Hole
栅极—射极漏泄电流：100 nA
产品类型：IGBT Transistors
零件号别名：IGW75N65H5 SP001257936
单位重量：6.100 g
应用领域
IGW75N65H5适用于需要高效能和高可靠性的应用场景，如：
家用电器：由于其高效能和可靠性，适用于各种家用电器中的功率转换需求。
工业控制：在工业控制系统中，IGW75N65H5的高效率和低损耗特性使其成为理想选择。
汽车电子：在汽车电子系统中，如电动车辆和混合动力车辆的功率转换和控制系统。
性能特点和优势
IGW75N65H5具有以下特点：
650V 击穿电压
对比英飞凌业界卓著的“HighSpeed 3”系列
Q g系数降低2.5倍
开关损耗系数降低2倍
V CE (sat)减少了200mV
低C OES/E OSS
温和正温度系数VCE (sat)
V f 的温度稳定性
此外，IGW75N65H5还具有以下优势：
具有出色的效率，降低结温和外壳温度，从而提高设备可靠性
母线电压可提升50V，同时不影响可靠性
更高的功率密度设计
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