英飞凌 IPD50P04P4L-11 P 沟道 OptiMOS™-P2 汽车 MOSFET 晶体管
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IPD50P04P4L-11 P 沟道 OptiMOS™-P2 汽车 MOSFET 晶体管。这些高性能 MOSFET 专为汽车电子应用而设计，具有高效率、低损耗和高可靠性的特点，是电动汽车电源管理、电池管理系统 (BMS) 和车载充电器等应用的理想之选。
IPD50P04P4L-11 是英飞凌 OptiMOS™-P2 系列中的 P 沟道功率 MOSFET，采用先进的沟槽技术制造，具有以下核心特性：
电压和电流参数： 40V 耐压、50A 持续漏极电流
封装： PG-TO252-3 (DPAK) 封装，适合高密度 PCB 设计
导通电阻： 极低的 RDS（导通）特性，大大降低了导通损耗。
开关性能： 优化栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss)，实现高效开关
温度范围： 宽工作温度范围，适合汽车级应用
1. 卓越的电气性能
IPD50P04P4L-11 采用英飞凌先进的 OptiMOS™-P2 技术，具有以下优点
更低的导通电阻 (RDS(on))，可降低功率损耗
开关频率更高，可提高系统效率
优化了体二极管特性，提高了反向恢复性能
增强热性能，提高功率密度
2. 汽车级可靠性
作为汽车级 MOSFET，IPD50P04P4L-11 符合严格的汽车电子标准：
通过 AEC-Q101 认证，确保在恶劣环境中的可靠性
出色的抗振性和抗冲击性
耐高温能力，适用于发动机舱和其他高温环境
长期供货保证，满足汽车产品生命周期要求
3. 应用广泛
IPD50P04P4L-11 适用于各种汽车电子系统：
电动/混合动力汽车：车载充电器 (OBC)、DC-DC 转换器、电池管理系统 (BMS)。
传统汽车电子：电动助力转向（EPS）、燃油喷射系统、水泵/燃油泵控制
车身电子设备：智能门锁、座椅调节、车窗控制
信息娱乐系统：电源管理、音频放大器
晶体管极性：P 沟道
通道数：1 通道
Vds - 漏极-源极击穿电压：40 V
Id - 持续漏极电流：50 A
Rds On - 漏极-源极电阻：17.2 mOhms
Vgs - 栅极源极电压：- 16 V，+ 5 V
Vgs th - 栅极-源极阈值电压：1.2 V
Qg - 栅极电荷：45 nC
最低工作温度：- 55 C
最高工作温度：+ 175 C
Pd - 功率耗散：58 W
下降时间：39 ns
高度：2.3 毫米
长度：6.5 毫米
产品类型：MOSFET
上升时间：9 ns
典型关断延迟时间：46 ns
典型导通延迟时间：12 ns
宽度：6.22 毫米
单位重量：330 毫克
1. 汽车电源管理系统
IPD50P04P4L-11 在汽车电源管理系统中的典型应用包括
负载开关：控制大电流负载的开/关
反极性保护：防止电池反接损坏电路
电源路径管理： 多个电源系统中的无缝切换
预充电电路：限制电容器充电电流并保护接触器
2. 电机驱动应用
IPD50P04P4L-11 具有高电流能力和低导通电阻，非常适合用于以下应用
小型直流电机驱动器
步进电机控制
风扇/泵电机驱动器
电动座椅/车窗驱动器
3. H 桥拓扑结构
在需要双向控制的 H 桥电路中，IPD50P04P4L-11 可与 N 沟道 MOSFET 配合使用，实现以下功能
直流电机正反转控制
电磁阀驱动
其他需要双向电流的应用
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