IPG20N04S4L-11 双N沟道汽车级MOSFET - 产品介绍
1. 产品描述
IPG20N04S4L-11 是 英飞凌（Infineon） 推出的 双 N 沟道增强型功率 MOSFET，属于 OptiMOS™-T2 系列，专为 汽车电子和工业控制 应用设计。该器件采用 PG-TDSON-8-4 封装（5×6mm），具有 极低的导通电阻（R<sub>DS(on)</sub> = 11.6mΩ），支持 40V 漏源电压（V<sub>DS</sub>） 和 20A 连续漏极电流（I<sub>D</sub>），适用于 高效电源开关、电机驱动和车身控制模块（BCM） 等应用38。
IPG20N04S4L-11 符合 AEC-Q101 认证，可在 -55°C ~ +175°C 的宽温度范围内稳定工作，并支持 260°C 峰值回流焊，满足汽车电子制造的高可靠性要求3。
2. 主要特点
双 N 沟道 MOSFET：集成两个独立 MOSFET，节省 PCB 空间。
超低导通电阻：R<sub>DS(on)</sub> = 11.6mΩ（典型值），减少功率损耗。
高电流能力：20A 连续漏极电流（I<sub>D</sub>），适用于大功率开关应用。
汽车级认证：符合 AEC-Q101，支持 MSL1（260°C 回流焊）。
低栅极电荷（Q<sub>g</sub>）：优化开关效率，适用于高频 PWM 控制。
100% 雪崩测试：增强器件在瞬态高压下的可靠性。
符合 RoHS 标准：环保无铅设计。
3. 规格参数
制造商：Infineon（英飞凌）
封装：PG-TDSON-8-4（5×6mm）
通道数：2（双 N 沟道）
漏源电压（V<sub>DS</sub>）：40V
连续漏极电流（I<sub>D</sub>）：20A
导通电阻（R<sub>DS(on)</sub>）：11.6mΩ（典型值）
阈值电压（V<sub>GS(th)</sub>）：1.7V
输入电容（C<sub>iss</sub>）：1530pF（@25V V<sub>DS</sub>）
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
符合标准：AEC-Q101、RoHS
4. 典型应用
汽车电子：车身控制模块（BCM）、LED 驱动、电动座椅调节。
工业控制：电机驱动、继电器替代、电源开关。
消费电子：电池管理系统（BMS）、快充电路。
轻负载开关：适用于低功耗开关应用，如传感器电源管理。
5. 明佳达电子供应情况
明佳达电子（Mingjiada Electronics） 可提供 IPG20N04S4L-11 的现货采购服务，支持原装正品供应，并可提供 批量采购优惠。如需具体库存及报价，建议直接联系明佳达销售团队。
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