HMC1063LP3E是一款紧凑型I/Q MMIC混频器，采用“无铅”SMT封装，可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。 HMC1063LP3E采用两个标准Hittite双平衡混频器单元和一个90度混合器件，均采用GaAs Schottky二极管工艺制造。 低频正交混合器件用于产生1,000 MHz LSB IF输出。HMC1063LP3E为混合型镜像抑制混频器和单边带上变频器组件的小型替代器件。 HMC1063LP3E无需线焊，可以使用表贴制造技术。
HMC1063LP3E主要特性
低LO功率：10 dBm
宽IF带宽：DC - 3 GHz
镜像抑制：21 dBc
LO/RF隔离：40 dB
高输入IP3：17 dBm
16引脚3x3 mm SMT封装：9 mm²
HMC1063LP3E技术参数
射频：24 GHz to 28 GHz
转换损失——最大：11.5 dB
最大工作温度：+ 85 C
最小工作温度：- 40 C
安装风格：SMD/SMT
封装 / 箱体：QFN-16
Pd-功率耗散：550 mW
产品类型：RF Mixer
单位重量：20.300 mg
产品优势
1、HMC1063LP3E通过多通道输出设计，集成低噪声放大功能，显著降低系统电源干扰，PSRR性能优于同类竞品，适用于对噪声敏感的射频前端电路。
2、支持1.8V至5.2V宽输入电压范围，HMC1063LP3E可通过外部引脚调节输出电压，适配多种供电环境，满足复杂系统电源管理需求。
3、HMC1063LP3E采用3x3 mm QFN封装，集成热关断保护功能，确保极端温度下系统稳定性，适用于工业与车载场景。
应用场景
1、射频前端电源管理
HMC1063LP3E为高频放大器、混频器等射频模块提供低噪声电源，优化相位噪声与信号完整性，常见于5G基站、卫星通信设备。
2、宽带PLL与VCO供电
HMC1063LP3E的多通道输出特性可同时为锁相环（PLL）、压控振荡器（VCO）供电，提升频率合成器性能，适用于雷达与测试仪器。
3、高精度测试设备
HMC1063LP3E的低纹波特性支持高分辨率ADC/DAC供电，降低测量误差，适配频谱分析仪、信号发生器等精密仪器。
4、工业自动化系统
HMC1063LP3E的宽温域（-40°C至85°C）与抗干扰能力，适用于工业传感器、电机控制模块的电源稳压。
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