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高性能 BSC0901NSI N 沟道 OptiMOS™ 功率 MOSFET,30V

OptiMOS™ 30V 产品通过改善 EMI 性能和延长电池寿命,满足了笔记本电脑电源管理的需求。BSC0901NSI是一款由英飞凌(Infineon)生产的 30V N 沟道 OptiMOS™ 功率,具有极低的导通电阻和优化的开关性能,适用于多种高频、高效率电源管理应用。 

技术规格

电压与电流:

漏极-源极电压(V<sub>DS</sub>):30V

持续漏极电流(I<sub>D</sub>):在 V<sub>GS</sub>=10V 和 T<sub>C</sub>=25°C 时为 100A

脉冲漏极电流(I<sub>D,pulse</sub>):400A

导通电阻(R<sub>DS(on)</sub>):在 V<sub>GS</sub>=4.5V 时,最大导通电阻为 2mΩ

开关特性:

栅极电荷(Q<sub>G</sub>):41nC

输出电荷(Q<sub>OSS</sub>):28nC

封装与尺寸:采用 PG-TDSON-8 封装

其他特性:

集成单片式肖特基样二极管

100% 雪崩测试,确保高可靠性

符合 RoHS 指令,无铅、无卤素

应用领域

BSC0901NSI 适用于多种高性能电源管理应用,包括:

开关电源(SMPS):用于同步整流,提高效率和降低功耗。

降压转换器:优化的同步 FET 设计,适合高性能降压转换器。

电池管理系统:适用于笔记本电脑、显卡等设备的电源管理。

电机控制:适用于直流电机控制,提高效率和响应速度。

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