深圳市明佳达电子供应英飞凌存储器: CY15B128Q-SXET 128Kb (16K × 8) 汽车-E 系列 (SPI) F-RAM
| 制造商 | INFINEON |
| 型号 | CY15B128Q-SXET |
| 封装 | SOIC-8 |
规格
存储器类型：非易失
存储器格式：FRAM
技术：FRAM（铁电体 RAM）
存储容量：128Kb
存储器组织：16K x 8
存储器接口：SPI
时钟频率：33 MHz
写周期时间 - 字，页：-
访问时间：9 ns
电压 - 供电：2.7V ~ 3.6V
工作温度：-40°C ~ 125°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SOIC
基本产品编号：CY15B128
产品信息
CY15B128Q 是一款 128 Kb 非易失性存储器，采用先进的铁电工艺。F-RAM 是非易失性的，执行读取和写入操作类似于 RAM。它提供 121 年的可靠数据保留，同时消除了串行闪存、EEPROM 和其他非易失性存储器导致的复杂性、开销和系统级可靠性问题。
与串行闪存和 EEPROM 不同，CY15B128Q 以总线速度执行写入操作。不会产生写入延迟。在每个字节成功传输到器件后，数据会立即写入内存数组。下一个总线周期可以开始，而无需数据轮询。此外，与其他非易失性存储器相比，该产品具有很强的写入耐久性。CY15B128Q 能够支持 1013 个读/写周期，或比 EEPROM 多 1000 万倍的写入周期。
这些功能使 CY15B128Q 非常适合需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用程序。示例包括数据记录（写入周期数可能很关键）和要求苛刻的工业控制（串行闪存或 EEPROM 的长写入时间可能导致数据丢失）。
