深圳市明佳达电子有限公司供应 英飞凌 IPDD60R050G7 600V N 沟道功率 MOSFET 晶体管
IPDD60R050G7 600 V CoolMOS™ G7 超级结 (SJ) MOSFET 结合了顶部冷却的创新概念，为 PFC 等大电流硬开关拓扑提供了系统解决方案，并为 LLC 拓扑提供了高端能效解决方案。
晶体管极性：N 沟道
通道数：1 通道
Vds - 漏极-源极击穿电压：600 V
Id - 持续漏极电流：47 A
Rds On - 漏极-源极电阻：50 mOhms
Vgs - 栅极源极电压：- 20 V，+ 20 V
Vgs th - 栅极-源极阈值电压：3 V
Qg - 栅极电荷：68 nC
最低工作温度：- 55 C
最高工作温度：+ 150 C
Pd - 功率耗散：278 W
通道模式：增强
配置：单通道
下降时间：3 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：6 ns
典型关断延迟时间：72 ns
典型导通延迟时间：22 ns
单位重量：763.560 毫克
提供同类最佳的 FOM RDS(on) x Eoss 和 RDS(on) x Qg
创新的顶部冷却概念
内置第 4 引脚开尔文源配置和低寄生源电感
TCOB 能力 >> 2.000 周期，符合 MSL1 标准，完全无铅
实现最高能效
电路板和半导体的热解耦克服了 PCB 的热限制
减少寄生源电感，提高能效和易用性
实现更高的功率密度解决方案
超越最高质量标准
电信
服务器
太阳能
PC 电源
SMPS
单相组串逆变器解决方案
48 V 配电装置
DIN 导轨电源
电解氢
电信基础设施
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