深圳市明佳达电子优势供应ST开关应用（STW35N60DM2）N-channel 600 V 28 A MDmesh DM2 功率MOSFET。
概述：
STW35N60DM2 高压 N 沟道功率 MOSFET 是 MDmesh™ DM2 快速恢复二极管系列的一部分。它具有非常低的恢复电荷 （Qrr） 和时间 （trr） 以及低 RDS（on），使其适用于最苛刻的高效率转换器，是桥式拓扑和 ZVS 相移转换器的理想选择。
特性：
快速恢复体二极管
极低的栅极电荷和输入电容
低导通电阻
100% 雪崩测试
极高的 dv/dt 耐用性
齐纳保护
产品规格：
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：28A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：110 毫欧 @ 14A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：54 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2400 pF @ 100 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：210W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-247-3
封装/外壳：TO-247-3
