深圳市明佳达电子有限公司推出英飞凌N-通道功率MOSFET_BSC026N08NS5_OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 80V，适用于电信应用。
描述：BSC026N08NS5
OptiMOS™ 5 80 V 功率 MOSFET，专为电信和服务器电源的同步整流而设计。此外，该器件还可用于太阳能、低压驱动和适配器等其他工业应用。OptiMOS™ 5 80 V MOSFET 采用七种不同的封装，具有业界最低的 RDS(on)。此外，与上一代产品相比，OptiMOS™ 5 80 V 的 RDS(on) 降低了 43%。
潜在应用
• 通信
• 服务器
• 太阳能
• 低压驱动器
• 轻型电动车
• 适配器
特征
• 针对服务器和桌面上的同步校正进行了优化
• 通过 100% 抗震测试
• 卓越的耐热性
• N通道
• 通过 JEDEC1 目标应用认证
• 无铅镀层；符合 RoHS 标准
规格
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FET 类型
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N 通道
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技术
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MOSFET（金属氧化物）
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漏源电压（Vdss）
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80 V
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25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
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23A（Ta），100A（Tc）
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驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
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6V，10V
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不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
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2.6 毫欧 @ 50A，10V
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不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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3.8V @ 115µA
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不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
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92 nC @ 10 V
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Vgs（最大值）
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±20V
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不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
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6800 pF @ 40 V
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FET 功能
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-
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功率耗散（最大值）
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2.5W（Ta），156W（Tc）
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工作温度
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-55°C ~ 150°C（TJ）
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安装类型
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表面贴装型
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供应商器件封装
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PG-TDSON-8-6
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封装/外壳
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8-PowerTDFN
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联系方式
联系人：陈先生
电话：13410018555
邮箱：chen13410018555@163.com
