深圳市明佳达电子有限公司供应 安森美 NXH020P120MNF1PG 碳化硅MOSFET半桥模块
NXH020P120MNF1PG 是碳化硅 MOSFET 模块，在 F1 模块中包含一个 20 欧姆 1200V 碳化硅 MOSFET 半桥和一个 NTC 热敏电阻。
技术： 碳化硅
安装方式：压装 压入式
封装/外壳 模块
晶体管极性 N 沟道
Vds - 漏极-源极击穿电压：1.2 kV
Id - 持续漏极电流：51 A
Rds On - 漏极-源极电阻： 30 mOhms
Vgs - 栅极源极电压：- 15 V，+ 25 V
Vgs th - 栅极-源极阈值电压：1.8 V
最低工作温度：- 40 C
最高工作温度 + 150 C
Pd - 功率耗散：211 W
下降时间：8.4 毫微秒
上升时间：8.8 ns
典型延迟时间：8.4 ns
典型关断延迟时间：105 ns
典型导通延迟时间：44 ns
20 m/1200 V SiC MOSFET 半桥
热敏电阻
带预涂热界面材料 (TIM) 和不带预涂 TIM 的选项
压配引脚
电动汽车充电器
储能系统
三相太阳能逆变器
不间断电源
太阳能逆变器
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工业电源
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