深圳市明佳达电子【供应】英飞凌 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IFS200B12N3E4B31 1200 V、200 A 六组 IGBT 模块
描述：
MIPAQ™ base 1200 V、200 A 六封装 IGBT 模块，带 TRENCHSTOP™ IGBT4、1.00 mΩ 电流检测分流器、发射极受控二极管和 NTC。
电气性能
• 开关损耗低
•低VCEsat
•Tvjop=150°C
电气特性
•低开关损耗
•低VCEsat
•Tvjop=150°C
典型应用
• 电机驱动
• 伺服驱动器
IFS200B12N3E4B31——IGBT 模块 沟槽型场截止 全桥 1200 V 400 A 940 W 底座安装 模块
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制造商
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Infineon Technologies
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系列
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MIPAQ™
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包装
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托盘
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零件状态
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在售
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IGBT 类型
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沟槽型场截止
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配置
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全桥
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电压 - 集射极击穿（最大值）
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1200 V
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电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
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400 A
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功率 - 最大值
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940 W
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不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
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2.1V @ 15V，200A
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电流 - 集电极截止（最大值）
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1 mA
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不同 Vce 时输入电容 (Cies)
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14 nF @ 25 V
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输入
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标准
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NTC 热敏电阻
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是
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工作温度
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-40°C ~ 150°C
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安装类型
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底座安装
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封装/外壳
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模块
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供应商器件封装
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模块
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