MOSFET是一种场效应晶体管（利用电场控制电流），由金属氧化物半导体制成，是目前使用最广泛的生产技术。在功率MOSFET领域，碳化硅（SiC）也被使用，因为它是电源、逆变器和其他应用所需的更高性能和效率的理想选择。
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回收 TOSHIBA MOSFET产品：
12V - 300V MOSFET
稳定地降低其低压功率MOSFET的漏极-源极导通电阻RDS(ON)。
400V-900V MOSFET
超结MOSFET系列用于高输出电源应用，并提供D-MOS（双扩散）MOSFET系列用于低输出电源应用。
车载MOSFET
使用于各种车载应用的功率MOSFET，包括12V电池和电机控制系统。
MOSFET栅极驱动IC
一种非常小的N沟道MOSFET驱动IC，内置保护电路。利用外部N沟道MOSFET，可以设计出小型、低损耗的理想电源电路。
SiC MOSFET
1200V SiC MOSFET具有高速开关和低导通电阻的特性，非常适合大功率，高效率的工业电源，低损耗的太阳能逆变器和UPS。
SiC MOSFET模块
SiC MOSFET模块具有高速开关性能，并使用SiC（碳化硅），这是一种针对低损耗和小型化应用设计的新型材料，适用于工业电源转换器，例如电力铁路的逆变器和光伏逆变器。
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