深圳市明佳达电子供应 英飞凌 IQE057N10NM6CGSC N 沟道 OptiMOS™ 6 MOSFET 晶体管
晶体管极性：N 沟道
通道数：1 通道
Vds - 漏极-源极击穿电压：100 V
Id - 持续漏极电流：98 A
Rds On - 漏极-源极电阻：5.7 mOhms
Vgs - 栅极源极电压：- 20 V，+ 20 V
Vgs th - 栅极-源极阈值电压：3.3 V
Qg - 栅极电荷：26 nC
最低工作温度：- 55 C
最高工作温度：+ 175 C
Pd - 功率耗散：125 W
通道模式：增强
下降时间：4.6 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：1.9 ns
典型关断延迟时间：12 ns
典型导通延迟时间：5.6 ns
N 沟道、正常电平
极低导通电阻 Rps(on)
出色的栅极电荷 X Ros（导通）乘积（FOM）
极低的反向恢复电荷 (Qr)
雪崩能量等级高
175°C 工作温度
针对高频开关和同步整流进行了优化
无铅电镀；符合 RoHS 规范
无卤素，符合 IEC61249-2-21 标准
符合 J-STD-020 的 MSL 1 级标准
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