深圳市明佳达电子供应 INFINEON S26HS512TGABHI003 高密度 SEMPER™ NOR 闪存 IC
S26HS512TGABHI003 是英飞凌 SEMPER™ NOR 闪存系列的成员，密度高达 512 Mbit。该器件在 HYPERBUS 接口上工作，带宽为 400 MByte/s，工作电压为 1.8 V，接口频率高达 200 MHz (DDR)，采用坚固的英飞凌 PG-BGA-24 封装。
密度：512 MBit
系列：HS-T
接口带宽：400 MByte/s
接口频率：200 MHz
接口：HYPERBUS
引脚球表面处理：锡/银/铜
工作温度：-40 °C - 85 °C
工作电压：1.8 V 1.7 V 2 V
峰值回流焊温度：260 °C
英飞凌 45 纳米 MIRRORBIT™ 技术，在每个存储器阵列单元中存储两个数据位
扇区架构选项
256 或 512 字节的页面编程缓冲区
1024 字节（32 × 32 字节）的 OTP 安全硅区 (SSR)
HYPERBUS™ 接口
带有 HYPERBUS™ 接口的 SEMPER™ 闪存支持传统 SPI (x1) 或 HYPERBUS™ 接口 (x8) 默认启动
自动启动功能可在上电后立即访问存储器阵列
通过 CS# 信号方法（JEDEC）和单独的 RESET# 引脚进行硬件复位
描述器件功能和特性的串行闪存可发现参数 (SFDP)
设备标识、制造商标识和唯一标识
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