明佳达介绍 IQDH45N04LM6CGSC OptiMOS™ 功率 MOSFET 40 V，采用 PQFN 5x6 下源中心栅 DSC 封装，具有极低的 RDS(on)。
功率 MOSFET IQDH45N04LM6CGSC 具有 0.45 mOhm 的低 RDS(on)，同时具有出色的热性能，便于管理功率损耗。中心栅基底面针对并行化进行了优化。此外，与包覆封装相比，双面冷却封装的耗散功率提高了五倍。
这就为各种终端应用提供了更高的系统效率和功率密度。
特征
• N 沟道，逻辑电平
• 极低的导通电阻 RDS(on)
• 出色的热阻
• 优化的双面冷却设计
• 100% 通过雪崩测试
• 无铅电镀；符合 RoHS 规范
• 无卤素，符合 IEC61249-2-21 标准
优势
• 最佳开关性能
• 传导损耗最小
• 快速开关
• 降低电压过冲
• 提高最大电流能力
• 需要并联的器件更少
• 5x6 基底面上的 RDS(on) 最低
• 易于热管理
规格
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系列
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OptiMOS™ 6
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零件状态
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在售
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FET 类型
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N 通道
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技术
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MOSFET（金属氧化物）
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漏源电压（Vdss）
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40 V
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25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
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58A（Ta），611A（Tc）
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驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
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4.5V，10V
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不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
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0.49 毫欧 @ 50A，10V
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不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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2.3V @ 1.449mA
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不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
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78 nC @ 4.5 V
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Vgs（最大值）
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±20V
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不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
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12000 pF @ 20 V
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功率耗散（最大值）
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3W（Ta），333W（Tc）
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工作温度
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-55°C ~ 175°C（TJ）
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| 供应商器件封装 | PG-WHTFN-9-U02 |
