近日，武汉太紫微光电科技有限公司（以下简称“太紫微公司”）自主设计的T150 A光刻胶产品，经过严格的量产验证，成功通过了量产验证测试（MVT）。
光刻胶是半导体制造中的关键材料，其研发和生产过程复杂且严格。光刻胶是指经过紫外光、深紫外光、电子束、离子束、X射线等光照或辐射后，溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料，主要应用于积体电路和分立器件的细微图形加工。
光刻工艺流程包括前处理、涂胶、软烘烤、对准曝光、PEB（Post Exposure Bake）、显影、硬烘烤和检验等八个环节。在这些环节中，光刻胶的性能直接影响到集成电路芯片的质量和性能。
光刻胶通常使用在紫外光波段或更小的波长(小于400纳米)进行曝光。根据使用的不同波长的曝光光源，如KrF（248nm），ArF（193nm）和EUV（13.5nm），相应的光刻胶组分也会有一定的变化。
据悉，T150 A光刻胶产品对标国际头部企业主流KrF光刻胶系列。相较于被业内称之为“妖胶”的国外同系列产品UV1610，T150 A在光刻工艺中表现出的极限分辨率达到120nm，且工艺宽容度更大，稳定性更高，坚膜后烘留膜率优秀，其对后道刻蚀工艺表现更为友好，通过验证发现T150 A中密集图形经过刻蚀，下层介质的侧壁垂直度表现优异。
援引业内人士称，T150 A对标UV1610产品，UV1610产品在市场上的使用情况和生产情况表明其是一种“很常用的胶”，门槛不算高，但由于常用所以需求量会比较大。从市场竞争情况来看，UV1610产品已经被多家国内厂商如北京科华和徐州博康等有能力生产，意味着实际留给其他厂商的市场空间并不多。
据上述人士称，目前北京科华直接代理了UV1610的原厂，主要为原厂提供代工，其他厂商“玩不了”。而徐州博康主打配方和生产“全国产”，有能力做UV1610，不过目前重心更多放在BARC（底部抗反射涂层）产品上。进一步指出，太紫微光称其产品已通过半导体工艺量产验证，并实现配方全自主设计，但最终成效还是要看市场与客户的反馈。据介绍，光刻胶产品在客户端验证周期通常需要2年。
据了解，我国半导体光刻胶的国产化率水平存在一定的差异，g/I线光刻胶国产化率约为20%；KrF光刻胶国产化率在30%-40%之间，但也有证据显示其国产化率不足5%；ArF光刻胶国产化率极低，不足1%。
尽管高端光刻胶的国产化率较低，但国内厂商正在加速研发和产业化进程。
文章来源：电子工程专辑讯
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