英飞凌OptiMOS™ 5 IQE220N15NM5CG 功率MOSFET，采用 PQFN 3.3x3.3 源下中心栅封装

深圳市明佳达电子有限公司【供求】英飞凌OptiMOS™ 5 IQE220N15NM5CG 低压功率 MOSFET 150 V，采用 PQFN 3.3x3.3 降源中心栅封装

说明

IQE220N15NM5CG属于 RDS(on) 为 22 mOhm 的源降系列。Source-Down 技术采用翻转硅芯片，在元件内部倒置。

它提高了散热能力，改善了功率密度和布局可能性。新技术有标准栅极和中心栅极（针对并行化进行了优化）两种不同的基底面。

特征描述

• RDS(on) 为 22 mOhm
• 与 PQFN 封装相比，RthJC 更好
• 提供中心栅极基底面
• 新的优化布局可能性

优势

• 最高功率密度和性能
• 优异的热性能
• 有效利用空间
• 中心栅极实现理想的并行化
• 改善 PCB 损耗
• 减少寄生

潜在应用

• 驱动
• SMPS
• 服务器
• 电信
• 电池管理

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